ALD IGZO适用于Monolithic 3D 一体化

在半导体产业中，通过规模化的小型化和集成化来提高元件性能和减少耗电量几乎达到了物理极/限。另外，随着内存的遗传体越来越高和薄，衰变的可能性也会增加，因此会减少元件的可靠性。为了克服半导体工程的微细化局限性，可以利用层层堆积的三维集成工程——M3D(Monolithic 3D)技术，而不是将现有的元件水平配置的结构。M3D技术可以确保集成度、性能及经济性，因此为了商用化，很多企业及研究所正在积极进行R&D。

然而，在M3D集成过程中，可能会出现下层器件中掺杂剂的扩散、特性变化和布线尺寸变化等，因此上层工艺温度存在限制。为了防止下级的性能下降，上部通道物质的工程温度必须维持在450度以下。由于IGZO可以在低温下沉积，因此很多研究将IGZO应用于M3D元件，如CMOS元件或在RRAM上叠加IGZO OSFET等。

Z近由于IGZO TFT的长时间retention导致的非常低的off-current(Ioff)特性，也适用于capacitor-less DRAM(2T0C)的开发。ALD IGZO具有conformal增着和优秀的厚度调节，cycle数调节的组成control非常自由，因此可以很容易形成不同的双层结构，被期待积极应用于优秀的M3D元件。

NCD公司正在开发采用独创技术的IGZO工程用配置ALD设备(LucidaTM GD Series)，目前在大面积上也确保了优秀的薄膜性能和高产能。此外，LucidaTM S Series也有望用于应用IGZO TFT的Logic、Memory和electro optics等M3D integration的开发。LucidaTM S series是半导体用高酸性ALD装置，大小为300毫米wafer，可进行thermal和plasma ALD工程。可用于具有优良性能和薄膜均匀度的多种氧化物(HfO2, ZrO2)及金属(TiN, TaN, Ru)薄膜的沉积。