阳离子组成对作用于ALD制备的In-Ga-Zn-O TFT沟道的偏应力稳定性的影响

近年来，非晶态In-Ga-Zn-O(a-IGZO)材料。主要用作背板的通道材料。平板显示器(FPD)的TFT由于其优越性. 具有均匀性好、通断电流大等特点;与其他无定形氧化物相比，具有更高的载流子迁移率.

研发IGZO工艺用高生产率配置ALD系统，该系统采用独创技术，将多元系氧化物IGZO的组成比控制在个别应用领域元件所需的精确组合比。特别是 GD Series的应用，可在多个大面积基板上沉积ALD，有望在目前迅速应用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供卓越的质量竞争力和高生产率.

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